[发明专利]存储器及其形成方法

摘要

本发明提供一种存储器及其形成方法，存储器的形成方法包括提供衬底；形成侧墙材料层；形成控制栅材料层；刻蚀控制栅材料层以形成控制栅；刻蚀部分位于衬底上的侧墙材料层，形成侧墙层；侧墙层位于衬底的部分的边缘具有缺口；形成填充缺口的绝缘填充层。存储器包括衬底；浮栅；位于浮栅上以及浮栅周围的部分衬底上的控制栅；位于浮栅和控制栅之间，以及衬底与控制栅之间的侧墙层；侧墙层位于衬底的部分的边缘具有缺口；填充侧墙层缺口的绝缘填充层。本发明的有益效果在于，在侧墙层的缺口处形成绝缘填充层，绝缘填充层能够填充缺口，进而可以较小发生电荷泄漏的几率，进而可以提升存储器的生产量率。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅；在所述衬底、浮栅的侧壁以及浮栅的顶面形成侧墙材料层；在所述侧墙材料层的表面形成控制栅材料层；刻蚀所述控制栅材料层以在所述浮栅以及浮栅周围的部分衬底上形成控制栅；刻蚀位于衬底上的部分侧墙材料层，保留位于衬底上位于控制栅下以及位于浮栅侧壁和顶面的部分侧墙材料层，以形成侧墙层；所述侧墙层、衬底和控制栅之间形成有缺口；形成填充所述缺口的绝缘填充层。