[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510251633.4 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN105097787B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯;汉斯-马丁·里特 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 麦善勇,张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件(300a)，包括具有第一表面(303)的衬底(302)；n型阱(304)，从第一表面(303)延伸到衬底(302)中并被配置为在衬底(302)中形成包围n型阱(304)的耗尽区(306)；绝缘层(340)，在衬底(302)的第一表面(303)上从n型阱(304)延伸，绝缘层(340)被配置为在衬底(302)中形成从与第一表面(303)邻接的n型阱(304)延伸的反型层(342)；其中设置p型浮动沟道挡块(370a)，p型浮动沟道挡块被配置为延伸穿过反型层(342)，以降低n型阱(304)和反型层(342)的至少一部分之间的耦合，并与衬底在所述耗尽区(306)外部的剩余部分(320)电断开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，具有第一表面；n型阱，从所述第一表面延伸到所述衬底中并被配置为在所述衬底中形成包围所述n型阱的耗尽区；绝缘层，在所述衬底的所述第一表面上从所述n型阱延伸，所述绝缘层被配置为在所述衬底中形成从与所述第一表面邻接的所述n型阱延伸的反型层；其中设置p型浮动沟道挡块，所述p型浮动沟道挡块被配置为延伸穿过所述反型层，以降低所述n型阱和所述反型层的至少一部分之间的耦合，并与所述衬底在所述耗尽区外部的剩余部分电断开。
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