[发明专利]具有多孔挡板的低体积喷淋头有效
申请号: | 201510221479.6 | 申请日: | 2015-05-04 |
公开(公告)号: | CN105088189B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 拉梅什·钱德拉塞卡拉;萨昂格鲁特·桑普朗;尚卡尔·斯娃米纳森;弗兰克·帕斯夸里;康胡;阿德里安·拉瓦伊 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有多孔挡板的低体积喷淋头。披露了在半导体处理装置中的低体积喷淋头,其可包括多孔挡板以改善原子层沉积期间的流动均一性和清洗时间。该喷淋头可包括增压体积、与增压体积流体连通的一个或多个气体入口、包括多个第一通孔以在半导体处理装置内将气体分配到衬底上的面板以及位于增压体积和一个或多个气体入口之间的区域内的多孔挡板。一个或多个气体入口可包括具有小体积的茎状部以改善清洗时间。挡板可以是多孔的并位于茎状部和增压体积之间以改善流动均一性并避免喷射。 | ||
搜索关键词: | 具有 多孔 挡板 体积 喷淋 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体处理装置中的喷淋头,所述喷淋头包括:具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的增压体积,所述第一表面和所述第二表面至少部分地限定所述喷淋头的所述增压体积;包括多个第一通孔的面板,所述多个第一通孔从所述面板的第一侧延伸至所述面板的第二侧,所述面板的第一侧限定所述增压体积的所述第一表面;与所述面板相对的后板,其中所述后板的一侧限定所述增压体积的第二表面;连接到所述后板并与所述增压体积流体连通的茎状部;和包括多个第二通孔的挡板,所述挡板位于所述增压体积和所述茎状部之间的区域内,其中所述区域凹进所述后板的所述一侧,并且与所述增压体积直接流体连通且与所述茎状部直接流体连通,所述多个第二通孔构造成增加穿过所述面板的气流的均匀性。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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