[发明专利]具有多孔挡板的低体积喷淋头

权利要求书

1.一种用于半导体处理装置中的喷淋头，所述喷淋头包括：

具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的增压体积，所述第一表面和所述第二表面至少部分地限定所述喷淋头的所述增压体积；

包括多个第一通孔的面板，所述多个第一通孔从所述面板的第一侧延伸至所述面板的第二侧，所述面板的第一侧限定所述增压体积的所述第一表面；

与所述面板相对的后板，其中所述后板的一侧限定所述增压体积的第二表面；

连接到所述后板并与所述增压体积流体连通的茎状部；和

包括多个第二通孔的挡板，所述挡板位于所述增压体积和所述茎状部之间的区域内，其中所述区域凹进所述后板的所述一侧，并且与所述增压体积直接流体连通且与所述茎状部直接流体连通，所述多个第二通孔构造成增加穿过所述面板的气流的均匀性。

2.如权利要求1所述的喷淋头，其中，所述面板的直径比所述挡板的直径至少大四倍。

3.如权利要求2所述的喷淋头，其中，所述面板的直径比所述挡板的直径至少大十倍。

4.如权利要求1所述的喷淋头，其中，所述茎状部的体积在1毫升和50毫升之间。

5.如权利要求1所述的喷淋头，其中，所述茎状部、所述区域和所述增压体积中的每一个限定圆柱形体积，并且其中所述增压体积的直径大于所述区域的直径，并且所述区域的直径大于所述茎状部的直径。

6.如权利要求1所述的喷淋头，其中，所述喷淋头的体积在50毫升和500毫升之间。

7.如权利要求6所述的喷淋头，其中，所述喷淋头的体积在100毫升和300毫升之间。

8.如权利要求1-7中任何一项所述的喷淋头，其中，所述挡板的孔隙率在5％和25％之间。

9.如权利要求1-7中任何一项所述的喷淋头，其中，相比所述挡板的中央，所述多个第二通孔位置更朝向所述挡板的边缘。

10.如权利要求1-7中任何一项所述的喷淋头，其中，所述挡板居中在所述茎状部之下并平行于所述第一表面和所述第二表面。

11.如权利要求1-7中任何一项所述的喷淋头，其中，第一通孔的数目在1500个通孔和2500个通孔之间。

12.一种半导体处理站，所述半导体处理站包括权利要求1所述的喷淋头。

13.如权利要求12所述的半导体处理站，还包括：

控制器，其配置有指令以执行下列操作：

将衬底提供入所述半导体处理站；

通过所述喷淋头将反应气体引入所述半导体处理站以使其吸附到所述衬底的表面上；

通过所述喷淋头将清洗气体引入到所述半导体处理站内；以及

施加等离子体以从所述衬底的所述表面上吸附的反应气体形成薄膜层。

14.如权利要求13所述的半导体处理站，其中，所述薄膜层的膜不均一性小于0.5％。

15.如权利要求14所述的半导体处理站，其中，所述膜不均一性与和引入所述气体反应物、引入所述清洗气体和施加所述等离子体中的一者或多者关联的一个或多个处理参数解除联系。

16.如权利要求13-15中任何一项所述的半导体处理站，其中，在原子层沉积(ALD)循环中形成所述薄膜层是在小于1.5秒的时间内执行的。

17.一种半导体处理工具，所述半导体处理工具包括权利要求13-15中任何一项所述的半导体处理站。

18.如权利要求17所述的半导体处理工具，其中，所述半导体处理工具包括步进式光刻机。