[发明专利]一种碳化硅器件的栅槽制作方法

摘要

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种碳化硅UMOS器件的栅槽制作方法。本发明的碳化硅器件的栅槽制作方法，主要是根据栅槽区域窗口对碳化硅外延片上的介质层进行刻蚀，在刻蚀中保留碳化硅上表面部分介质层，然后采用腐蚀工艺对该部分介质层进行腐蚀，使介质层与碳化硅外延片的接触区域形成圆滑的弧形，从而使碳化硅外延片在刻蚀后能形成侧壁陡直、无微沟槽且底脚圆滑的碳化硅栅槽结构。本发明的有益效果为，得到了侧壁陡直、无微沟槽且底脚圆滑的碳化硅栅槽结构，减小了槽栅底部的电场集中效应，提高了器件击穿性能和可靠性。本发明尤其适用于碳化硅器件栅槽结构制作。

主权项

一种碳化硅器件的栅槽制作方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步：清洗碳化硅外延片；第二步：在碳化硅外延片上表面生成第一介质层；第三步：在第一介质层上表面生成第二介质层；第四步：在第二介质层上表面涂覆光刻胶，并在第二介质层上表面中部光刻显影出第一栅槽区域窗口；第五步：采用光刻技术，将第一栅槽区域窗口与第一介质层之间的第二介质层刻蚀掉，去除光刻胶；第六步：采用刻蚀技术，将第一栅槽区域窗口下的第一介质层部分刻蚀掉；第七步：采用腐蚀技术，将第一栅槽区域窗口与碳化硅外延片之间的第一介质层腐蚀掉，形成第二栅槽区域窗口；所述第二栅槽区域窗口两侧的第一介质层与碳化硅外延片上表面的连接处为圆弧过渡；第八步：采用刻蚀技术，对第二栅槽区域窗口下的碳化硅外延片进行刻蚀，形成栅槽区域。