[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201510100759.1 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105448335B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 白川政信 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种高品质半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：非易失性存储单元晶体管(MT)，相对于半导体衬底沿垂直方向延伸且具备多个存储单元晶体管(MT)的多个串单元(SU)，具备多个串单元(SU)的多个区块(BLK)，具备多个区块的存储单元阵列(130)，在同一区块(BLK)内连接于多个存储单元晶体管(MT)的栅极电极的多条字线(WL)，对存储单元晶体管(MT)进行数据的编程的控制电路(122)，以及设置在控制电路(122)内且存储连接于存储单元晶体管(MT)的每条字线的编程条件数据的寄存器(122c)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：/n存储单元晶体管；/n串单元，包括多个所述存储单元晶体管；/n存储单元阵列，包括多个所述串单元；/n多条字线，连接于多个所述存储单元晶体管的栅极电极；/n控制电路，通过进行编程动作及验证动作而对所述存储单元晶体管进行数据的写入；以及/n寄存器，存储针对每条所述字线设定的所述存储单元晶体管的编程条件即标记数据；/n所述控制电路/n接收样品串单元指定指令以及第一串单元的地址，随后，在接收写入指令和第二串单元的地址的情况中，在所述第一串单元和所述第二串单元一致的情况下，在执行获取所述标记数据的撷取动作后决定编程电压，在所述第一串单元和所述第二串单元不同的情况下，不执行所述撷取动作地决定所述编程电压；/n基于所述写入指令对特定所述字线施加所述编程电压。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510100759.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：存储器的操作方法
- 下一篇：一种存储器及其时序追踪电路
