[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

存储单元晶体管；

串单元，包括多个所述存储单元晶体管；

存储单元阵列，包括多个所述串单元；

多条字线，连接于多个所述存储单元晶体管的栅极电极；

控制电路，通过进行编程动作及验证动作而对所述存储单元晶体管进行数据的写入；以及

寄存器，存储针对每条所述字线设定的所述存储单元晶体管的编程条件即标记数据；

所述控制电路

接收样品串单元指定指令以及第一串单元的地址，随后，在接收写入指令和第二串单元的地址的情况中，在所述第一串单元和所述第二串单元一致的情况下，在执行获取所述标记数据的撷取动作后决定编程电压，在所述第一串单元和所述第二串单元不同的情况下，不执行所述撷取动作地决定所述编程电压；

基于所述写入指令对特定所述字线施加所述编程电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路

在所述第一串单元和所述第二串单元不同的情况下，

从所述第二串单元中读取所述标记数据，

将存储在所述寄存器的所述标记数据更新为所述所读取的标记数据，

使用存储在所述寄存器的所述所读取的标记数据，决定所述编程电压。

3.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路

在所述第一串单元和所述第二串单元一致的情况下，

将所述寄存器内的所述标记数据更新为所述撷取动作时所获取的标记数据，

使用存储在所述寄存器的所述所获取的标记数据，决定所述编程电压。

4.根据权利要求1或2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述存储单元晶体管可保持第一比特数据与第二比特数据；

所述控制电路

在编程所述第一比特数据时获取所述标记数据，

将所述寄存器内的所述标记数据更新为所述所获取的标记数据，

使用存储在所述寄存器的所述标记数据，施加所述编程电压。

5.一种半导体存储装置，其特征在于包括：

非易失性存储单元晶体管，可保持第一比特数据与第二比特数据；

多个区块，包括多个所述存储单元晶体管；

存储单元阵列，包括多个所述区块；

多条字线，在同一所述区块内，连接于多个所述存储单元晶体管的栅极电极；

控制电路，通过进行编程动作及验证动作而对所述存储单元晶体管进行数据的写入；以及

第一及第二寄存器，设置在所述控制电路内，存储针对每条所述字线设定的所述存储单元晶体管的编程条件即标记数据；

所述控制电路

在对所述存储单元晶体管编程所述第一比特数据的第一编程动作时，

获取所述存储单元晶体管的编程条件即标记数据，

将存储在所述第一寄存器的数据移动到所述第二寄存器，

将所述标记数据存储在所述第一寄存器，

在对所述存储单元晶体管编程所述第二比特数据的第二编程动作时，

在成为所述第二编程动作的对象的字线并非为第一字线的情况下，使用存储在所述第二寄存器的所述标记数据，对所述存储单元晶体管施加编程电压，在成为所述第二编程动作的对象的字线为所述第一字线的情况下，使用存储在所述第一寄存器的标记数据，对所述存储单元晶体管施加编程电压，

在成为所述第二编程动作的对象的字线并非为所述第一字线、且所述第二寄存器中未存储所述标记数据的情况下，读取与所述第二比特数据对应的所述第一比特数据，使用所述第一比特数据的一部分即所述标记数据，对所述存储单元晶体管施加编程电压，

在成为所述第二编程动作的对象的字线为所述第一字线、且所述第一寄存器中未存储所述标记数据的情况下，从成为所述第二编程动作的对象的字线读取与所述第二比特数据对应的第一比特数据，使用所述第一比特数据的一部分即所述标记数据，对所述存储单元晶体管施加编程电压，

从外部接收与所述第二比特数据对应的所述第一比特数据、及所述第二比特数据，

对成为所述第二编程动作的对象的字线施加所述所施加的编程电压，对所述存储单元晶体管编程从所述外部接收的所述第一比特数据及所述第二比特数据。