[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510096483.4 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104916707B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 水上诚;铃木拓马 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供使导通电阻降低的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极与上述第2电极之间，具有在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上碳空位密度变低的区域；第1导电型的第2半导体层，设在上述第1电极与上述第1半导体层之间，杂质元素浓度比上述第1半导体层高；以及第2导电型的多个第3半导体层，设在上述第2电极与上述第1半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体层，设在上述第1电极与上述第2电极之间，具有在从上述第1电极朝向上述第2电极的第1方向上碳空位密度变低的区域；第1导电型的第2半导体层，设在上述第1电极与上述第1半导体层之间，杂质元素浓度比上述第1半导体层高；以及第2导电型的多个第3半导体层，设在上述第2电极与上述第1半导体层之间，上述碳空位密度变低的区域为，从相邻的上述第3半导体层所夹着的上述第1半导体层的表面起到比上述第3半导体层深的位置。
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