[发明专利]具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽DMOS器件的制备

摘要

本发明涉及提出了一种半导体器件的制备方法。器件的制备方法包括：在半导体层中制备；用绝缘材料填充沟槽；除去所选的部分绝缘材料，留下在沟槽底部的一部分绝缘材料；在剩余部分沟槽的一个或多个侧壁上，制备一个或多个隔片；使用一个或多个隔片作为掩膜，各向异性地刻蚀沟槽底部的绝缘材料，以便在绝缘物中形成沟槽；除去隔片；并用导电材料填充绝缘物中的沟槽。还可选择，在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物‑氮化物‑氧化物(ONO)结构，并在没有被ONO结构占用的部分沟槽中，形成一个或多个导电结构。

主权项

1.一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：步骤a：在半导体层中制备一个沟槽；步骤b：在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物‑氮化物‑氧化物结构，其中氧化物‑氮化物‑氧化物结构含有一个位于第一和第二氧化层之间的氮化层，包括在沟槽侧壁和底部以及半导体层的顶部，形成一个第一氧化层；在第一氧化层上方形成一个氮化层；在氮化层上方形成一个第二氧化层；以及步骤c：在没有被氧化物‑氮化物‑氧化物结构占用的一部分沟槽中，形成二个或多个导电结构，二个或多个导电结构含有一个具有夹在第一导电结构和第二导电结构之间的绝缘材料的屏蔽栅极结构；其中步骤c包括：用第一导电结构填充沟槽底部部分；在沟槽中的第一导电结构上方，形成一个再次氧化层；除去裸露在沟槽中的第二氧化层和氮化层；在沟槽侧壁上，形成一个栅极氧化物；并且用第二导电结构填充沟槽的剩余部分，回刻第二导电结构；其中在步骤b中制备第二氧化层包括：用第二氧化物填充沟槽；回刻第二氧化物，保留沟槽底部的一部分第二氧化层；在第二氧化层上以及剩余部分沟槽的侧壁上，形成一个带有预设厚度T1的隔片层；各向异性刻蚀隔片层，在沟槽的侧壁上构成一个或多个隔片；在沟槽底部，将第二氧化层各向异性刻蚀到预设厚度T2；并且除去一个或多个隔片。