[发明专利]具有厚底部屏蔽氧化物的沟槽DMOS器件的制备

权利要求书

1.一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：

步骤a：在半导体层中制备一个沟槽；

步骤b：在沟槽的侧壁和底部，形成一个氧化物-氮化物-氧化物结构，其中氧化物-氮化物-氧化物结构含有一个位于第一和第二氧化层之间的氮化层，包括在沟槽侧壁和底部以及半导体层的顶部，形成一个第一氧化层；

在第一氧化层上方形成一个氮化层；

在氮化层上方形成一个第二氧化层；以及

步骤c：在没有被氧化物-氮化物-氧化物结构占用的一部分沟槽中，形成二个或多个导电结构，二个或多个导电结构含有一个具有夹在第一导电结构和第二导电结构之间的绝缘材料的屏蔽栅极结构；

其中步骤c包括：

用第一导电结构填充沟槽底部部分；

在沟槽中的第一导电结构上方，形成一个再次氧化层；

除去裸露在沟槽中的第二氧化层和氮化层；

在沟槽侧壁上，形成一个栅极氧化物；并且

用第二导电结构填充沟槽的剩余部分，回刻第二导电结构；

其中在步骤b中制备第二氧化层包括：

用第二氧化物填充沟槽；

回刻第二氧化物，保留沟槽底部的一部分第二氧化层；

在第二氧化层上以及剩余部分沟槽的侧壁上，形成一个带有预设厚度T1的隔片层；

各向异性刻蚀隔片层，在沟槽的侧壁上构成一个或多个隔片；

在沟槽底部，将第二氧化层各向异性刻蚀到预设厚度T2；并且除去一个或多个隔片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用一个或多个隔片作为掩膜，各向异性地刻蚀沟槽底部的第二氧化层，使在沟槽侧壁附近的第二氧化层的厚度为T1，和使在沟槽底部附近的第二氧化层的厚度为T2，其中T2并不等于T1。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，在沟槽的剩余部分的侧壁上、在沟槽中的第二氧化层上方以及半导体层上方沉积形成预设厚度为T1的另一个氮化层；以及

各向异性刻蚀厚度为T1的该另一个氮化层，以构成一个或多个厚度为T1的隔片。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中，在沟槽的剩余部分的侧壁上、在沟槽中的第二氧化层上方以及半导体层上方沉积形成预设厚度为T1的一个多晶硅层；以及

各向异性刻蚀厚度为T1的该多晶硅层，以构成一个或多个厚度为T1的隔片。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b中在形成带有预设厚度T1的隔片层之前，先沉积一个第三氧化层在第二氧化层的上方和在所述氧化物-氮化物-氧化物结构中氮化层的上方；并且

在步骤c中形成所述再次氧化层之后，除去第三氧化层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤c中用第一导电结构填充沟槽之后，再将第一导电结构回刻到第二氧化层的顶面以下，之后才在第一导电结构上方形成所述再次氧化层。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中T1小于T2。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体层包括一个覆盖在重掺杂层上的轻掺杂层，半导体层中所形成的沟槽，穿过轻掺杂层，延伸到重掺杂层中。