[发明专利]高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法有效
申请号: | 201510090022.6 | 申请日: | 2015-02-27 |
公开(公告)号: | CN104882376B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 东条利洋;佐佐木和男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/66 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置,具有与绝缘物(17)接触的电极(13),对电极(13)施加高频电力,利用由此生成的等离子体对基板(G)进行等离子体处理,该高频等离子体处理装置包括:进行等离子体处理的处理室(4);收纳与绝缘物(17)接触的状态的电极(13)的电极收纳部(3);对电极(13)施加高频电力的高频电源(15);和湿度调整单元(58),其调整电极收纳部(3)内的湿度,使得不在电极收纳部(3)内产生沿面放电。 | ||
搜索关键词: | 高频 等离子体 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高频等离子体处理装置,其具有与绝缘物接触的电极,对所述电极施加高频电力,利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理,所述高频等离子体处理装置的特征在于,包括:对基板进行等离子体处理的处理室;收纳与所述绝缘物接触的状态的所述电极的电极收纳部;对所述电极施加高频电力的高频电源;和湿度调整单元,其调整所述电极收纳部内的湿度,使得不在所述电极收纳部内产生沿面放电,所述湿度调整单元具有对所述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构,所述高频等离子体处理装置还包括:测定所述电极收纳部内的湿度的湿度计;和放电防止部,其在干燥气体从所述干燥气体供给机构供给至所述电极收纳部时,在所述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下,不允许所述高频电源的动作,在所述湿度计的测定值在所述阈值以下的情况下,允许所述高频电源的动作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造