[发明专利]高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法

说明书

本发明提供在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。本发明的高频等离子体处理装置，具有与绝缘物(17)接触的电极(13)，对电极(13)施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板(G)进行等离子体处理，该高频等离子体处理装置包括：进行等离子体处理的处理室(4)；收纳与绝缘物(17)接触的状态的电极(13)的电极收纳部(3)；对电极(13)施加高频电力的高频电源(15)；和湿度调整单元(58)，其调整电极收纳部(3)内的湿度，使得不在电极收纳部(3)内产生沿面放电。

技术领域

本发明涉及使用高频电力对被处理基板实施等离子体处理的高频等离子体处理装置和高频等离子体处理方法。

背景技术

在半导体基板和液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等的等离子体处理的工序，为了进行这样的等离子体处理而使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种的等离子体处理装置。作为等离子体处理装置，通常使用高频电力生成等离子体。

作为使用高频电力的等离子体处理装置，最近，具有能够以高真空度得到高密度的等离子体这样的较大的优点的感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma：ICP)处理装置受到关注。

作为感应耦合等离子体处理装置，在收纳被处理基板的处理容器的构成顶壁的电介质窗的上侧设置天线室，在其中配置高频天线，对处理容器内供给处理气体，并且对该高频天线供给高频电力，由此，在处理容器内生成感应耦合等离子体，通过该感应耦合等离子体对被处理基板实施规定的等离子体处理(例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-55895号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，天线室内的高频天线被绝缘物按压，但已明确，当对高频天线施加由高频电力时，有时主要会在绝缘物的部分产生沿面放电。当产生沿面放电时，存在绝缘物的劣化发展导致绝缘破坏等的可能性。

这样的沿面放电，不限于感应耦合等离子体处理装置，在平行平板型的电容耦合等离子体处理装置中，有时也会在按压被施加高频电力的电极的绝缘物的部分产生。

本发明是鉴于该情况而完成的，目的在于提供一种在与被施加高频电力的电极接触的绝缘物的部分难以产生沿面放电的高频等离子体处理装置以及高频等离子体处理方法。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，本发明的第一方面提供一种高频等离子体处理装置，其具有与绝缘物接触的电极，对上述电极施加高频电力，利用由此生成的等离子体对基板进行等离子体处理，上述高频等离子体处理装置的特征在于，包括：对基板进行等离子体处理的处理室；收纳与上述绝缘物接触的状态的上述电极的电极收纳部；对上述电极施加高频电力的高频电源；和湿度调整单元，其调整上述电极收纳部内的湿度，使得不在上述电极收纳部内产生沿面放电。

在上述第一方面，能够使用作为上述湿度调整单元具有对上述电极收纳部供给干燥气体的干燥气体供给机构的高频等离子体处理装置。

还可以包括：测定上述电极收纳部内的湿度的湿度计；和放电防止部，其在干燥气体从上述干燥气体供给机构供给至上述电极收纳部时，在上述湿度计的测定值超过规定的阈值的情况下，不允许上述高频电源的动作，在上述湿度计的测定值在上述阈值以下的情况下，允许上述高频电源的动作。