[发明专利]用于半导体处理中的铜移除及平面化的湿蚀刻方法

摘要

本发明涉及用于半导体处理中的铜移除及平面化的湿蚀刻方法。可通过pH介于约5与12之间的湿蚀刻溶液蚀刻半导体衬底上的经暴露铜区域，所述湿蚀刻溶液包括：(i)选自由二齿、三齿及四齿络合剂组成的群组的一种或一种以上络合剂；及(ii)氧化剂。在许多实施例中，所述蚀刻为大致各向同性的且在铜的表面上不形成可见不溶物质的情况下发生。所述蚀刻用于半导体制作中的若干个过程中，包含用于部分地或完全地移除铜覆盖物、用于平面化铜表面及用于在填充有铜的镶嵌特征中形成凹入部。适合蚀刻溶液的实例包含包括分别作为二齿及三齿络合剂的二胺(例如，乙二胺)及/或三胺(例如，二亚乙基三胺)以及作为氧化剂的过氧化氢的溶液。在一些实施例中，所述蚀刻溶液进一步包含pH调整剂，例如硫酸、氨基酸及羧酸。

主权项

一种用于制备用于铜蚀刻的湿蚀刻溶液的浓缩溶液，所述浓缩溶液基本上由以下各项组成：(a)水；(b)选自由二齿二胺、三齿三胺及四齿四胺组成的群组的一种或一种以上多胺，其中来源于这些多胺的氨基的浓度为至少约1.5M；及(c)选自由硫酸、烷基磺酸、羧酸及氨基酸组成的群组的一种或一种以上pH调整剂，其中所述浓缩溶液在21℃下具有介于约8.5与11.5之间的pH。