[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：在衬底上形成包含铟和锌的氧化物半导体层；在氮气氛下以200℃以上加热所述氧化物半导体层以减小所述氧化物半导体层的电阻；在所述加热步骤之后，形成与所述氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层；以及在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层上形成包含硅和氧的绝缘膜，其中所述绝缘膜与所述氧化物半导体层的一部分接触，其中所述氧化物半导体层的所述一部分包括沟道形成区，并且其中所述氧化物半导体层的所述一部分的电阻通过形成所述绝缘膜的步骤增加。