[发明专利]半导体结构的清洗方法有效
| 申请号： | 201510081881.9 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105990096B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构的清洗方法，所清洗的半导体结构至少裸露出了硅的氧化物表面和硅的氮化物表面，该清洗方法采用干法清洗工艺，通过气相状态的清洗物质对硅的氧化物表面以及硅的氮化物表面进行清洗，其中，清洗物质包括HF气体和醇的气体。在清洗过程中，控制工艺条件使清洗物质对硅的氮化物表面和对硅的氧化物表面的刻蚀速率相等，从而保证了在实现清洗目的的基础上，清洗之后获得的半导体结构还能具有平整的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的清洗方法，所述半导体结构至少裸露出了硅的氧化物表面和硅的氮化物表面，其特征在于，采用干法清洗工艺，通过气相状态的清洗物质对所述硅的氧化物表面以及所述硅的氮化物表面进行清洗，所述清洗物质包括HF气体和醇的气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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