[发明专利]半导体异质结构、其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为Al_xIn_yGa_1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0xIn_yGa_1‑x‑yN层。利用本发明的半导体异质结构，可以有效简化半导体器件的生产工艺及提高优化半导体器件的可靠性，特别是可以从根本上消除HEMT等器件因应力而导致的可靠性问题，并使其势垒层与GaN层之间保持更为理想的自发极化强度。

主权项

1.一种半导体异质结构，其特征在于：所述半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体材料与所述第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中所述第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0

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