[发明专利]间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法在审

专利信息
申请号: 201510074772.4 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN105990294A 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 凡会建;李文化;彭志文 申请(专利权)人: 特科芯有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/28;H01L21/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215024 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法,包括多个堆叠的晶粒,其放置在基板上,多个堆叠的晶粒的底面贴有DAF胶膜,多个堆叠的晶粒之间贴有FOW胶膜,多个堆叠的晶粒之间使用间隔层取代FOW胶膜,间隔层使用在贴有DAF胶膜的晶粒上,所述间隔层取代FOW胶包括三个流程,其依次为硅晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片;通过上述技术方案,增加间隔层,降低封装成本和封装工艺难度,且间隔层所用DAF膜比FOW膜硬,使得划片方便。
搜索关键词: 间隔 堆叠 晶粒 封装 应用 方法
【主权项】:
间隔层在堆叠晶粒封装的应用方法,包括多个堆叠的晶粒,其放置在基板上,所述多个堆叠的晶粒的底面贴有DAF胶膜,所述多个堆叠的晶粒之间贴有一层有FOW胶膜,其特征在于:所述多个堆叠的晶粒之间使用间隔层取代FOW胶膜,间隔层使用在贴有DAF胶膜的晶圆上,所述间隔层取代FOW胶膜三个流程,其依次为硅晶圆减薄、减薄后贴DAF胶膜、划片;其具体包括六个步骤:步骤一、准备间隔层:即硅晶圆减薄到所需厚度,背面贴DAF胶膜,经划片制程切成所需大小的方块;步骤二、在基板上先贴第一层产品晶粒;步骤三、将间隔层贴在第一层晶圆上;步骤四、将步骤三完成的材料烘烤后,对第一层晶粒焊线;步骤五、将步骤四完成材料,返回固晶工序贴第二层晶粒;步骤六、将步骤四完成材料烘烤后,对第二层硅晶粒焊线,堆叠完成。
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