[发明专利]一种大单晶石墨烯及其制备方法有效
| 申请号： | 201510063498.0 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104674343B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘忠范;林立;彭海琳;任华英 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人： | 关畅,赵静 |
| 地址： | 100000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大单晶石墨烯及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤1)在还原性气氛下，对铜基底进行退火处理，得到退火处理后的铜基底；2)在三嗪衍生物蒸汽气氛下，对步骤1)中所述退火处理后的铜基底进行处理，得到三嗪衍生物处理后的铜基底，其中，所述三嗪衍生物选自如下至少一种三聚氰胺、2,4‑二氨基‑6‑甲基‑1,3,5‑三嗪、2‑氨基‑4‑甲基‑6‑甲氧基‑1,3,5‑三嗪；3)采用化学气相沉积法在所述三嗪衍生物处理后的铜基底表面沉积石墨烯，即得到所述大单晶石墨烯，制备方法简单，可大规模生产，单晶畴区尺寸达到亚厘米级，单晶质量高，能适用于电子学上的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大单晶石墨烯的制备方法，包括如下步骤：1)在还原性气氛下，对铜基底进行退火处理，得到退火处理后的铜基底；2)在三嗪衍生物蒸汽气氛下，对步骤1)中所述退火处理后的铜基底进行处理，得到三嗪衍生物处理后的铜基底，其中，所述三嗪衍生物选自如下至少一种：三聚氰胺、2,4‑二氨基‑6‑甲基‑1,3,5‑三嗪、2‑氨基‑4‑甲基‑6‑甲氧基‑1,3,5‑三嗪；3)采用化学气相沉积法在所述三嗪衍生物处理后的铜基底表面沉积石墨烯，即得到所述大单晶石墨烯。
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