[发明专利]存储器元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件的制作方法，包括下述步骤：首先于基材上形成多层叠层结构(multi‑laver stack)；然后，图案化多层叠层结构，以形成沿着第一方向延伸的多条沟道，藉以定义出多个脊状多层叠层；其中，每一个脊状多层叠层至少包括一条导电条带；之后，于沟道的底部和侧壁上依序形成存储层和通道层；再形成牺牲层，以填满沟道；后续，移除位于沟道中的一部分通道层、存储层和牺牲层，而形成多个开口，将一部分基材暴露于外；移除剩余的牺牲层之后，图案化位于脊状多层叠层上的通道层和存储层，藉以连通位于相邻沟道中的开口。

主权项

1.一种存储器元件的制作方法，包括：于一基材上形成一多层叠层结构；图案化该多层叠层结构，以形成多条沟道沿着一第一方向延伸，以定义出多个脊状多层叠层；其中，每一脊状多层叠层至少包括一导电条带；于这些沟道的一底部和侧壁上依序形成一存储层以及一通道层；形成一牺牲层，填满该沟道；移除位于该沟道中的一部分该存储层、该通道层及该牺牲层，而形成多个开口，将一部分该基材暴露于外；移除剩余的该牺牲层，藉以在这些沟道中定义出多个空气间隙；图案化位于该脊状多层叠层上的该通道层和该存储层，以连通位于相邻沟道中的这些开口。