[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201510040723.9 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104810430A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 山口晴央 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/107;H01L31/0304;H01L21/331;H01L29/20;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到一种能够改善器件特性和可靠性的半导体装置的制造方法。在n型InP衬底(1)上方使n型AlInAs缓冲层(3)生长。在n型AlInAs缓冲层(3)上方依次使无掺杂AlInAs雪崩倍增层(4)、p型AlInAs电场缓和层(5)、n-型InGaAs光吸收层(6)以及n-型InP窗口层(7)生长而形成雪崩光电二极管。在p型AlInAs电场缓和层(5)中作为p型掺杂物而掺杂碳。在n型AlInAs缓冲层(3)中，与具有导电性的杂质一起掺杂碳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：在衬底上方使缓冲层生长的工序；以及在所述缓冲层上方依次使无掺杂倍增层、电场缓和层、光吸收层以及窗口层生长而形成雪崩光电二极管的工序，在所述电场缓和层中作为p型掺杂物而掺杂碳，在所述缓冲层中，与具有导电性的杂质一起掺杂碳。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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