[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上方使缓冲层生长的工序；以及

在所述缓冲层上方依次使无掺杂倍增层、电场缓和层、光吸收层以及窗口层生长而形成雪崩光电二极管的工序，

在所述电场缓和层中作为p型掺杂物而掺杂碳，

在所述缓冲层中，与具有导电性的杂质一起掺杂碳。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包含Al作为结晶组分。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述缓冲层中的所述碳相对于所述具有导电性的杂质的比例为1/10～1/100。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上方使缓冲层生长的工序；以及

在所述缓冲层上方依次使第1导电型包覆层、活性层以及第2导电型包覆层生长而形成半导体激光器的工序，

在所述活性层中掺杂碳，

在所述缓冲层和所述第1导电型包覆层的至少一方中，与具有导电性的杂质一起掺杂碳。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上方使缓冲层生长的工序；以及

在所述缓冲层上方依次使集电极层、基极层以及发射极层生长而形成双极型晶体管的工序，

在所述基极层中作为p型掺杂物而掺杂碳，

在所述缓冲层中掺杂碳，使氧以大于或等于所述碳的浓度吸入至所述缓冲层。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上方使缓冲层生长的工序；以及

在所述缓冲层上方依次使电子供给层、沟道层生长而形成场效应晶体管的工序，

所述沟道层为InGaAs，

在所述缓冲层中掺杂碳，使氧以大于或等于所述碳的浓度吸入至所述缓冲层。

7.根据权利要求1～2、4～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述缓冲层之前，还具有导入在构成元素中具有卤素的碳添加材料而对所述衬底的表面进行蚀刻的工序。

8.根据权利要求1～2、4～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在形成所述缓冲层之前，还具有导入包含有Al的有机金属材料而使所述衬底的表面还原的工序。