[发明专利]包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件有效
| 申请号： | 201510039578.2 | 申请日： | 2015-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN104810392B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | E·法尔克;A·黑特尔;M·普法芬莱纳;F·J·桑托斯罗德里奎兹;D·施罗格尔;H-J·舒尔策;A·R·斯特格纳;J·G·拉文 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括具有相对的第一侧和第二侧的半导体主体。该半导体器件进一步包括半导体主体中的、在第一侧和pn结之间的漂移区。在该第一侧和第二侧之间沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，该漂移区的净掺杂的分布是波动的，并且包括在1x1013cm‑3和5x1014cm‑3之间的掺杂峰值。器件的阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，该pn结位于漂移区和相反的导电类型的半导体区之间，该半导体区被电耦接至半导体主体的第一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 漂移 波动 分布 掺杂 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体主体，其具有相对的第一侧和第二侧；以及位于所述半导体主体中的漂移区，其位于所述第二侧和pn结之间，其中所述漂移区从所述pn结延伸至场截止区，所述场截止区相对于所述半导体主体中的任何场截止区具有距所述第一侧最小的垂直距离；其中，从所述pn结至所述场截止区沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，所述漂移区的净掺杂分布是波动的，并且包括在1x1013cm‑3和5x1014cm‑3之间的多个掺杂峰值；其中器件阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，所述pn结位于所述漂移区和相反导电类型的半导体区之间，所述半导体区被电耦接至所述半导体主体的所述第一侧。
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