[发明专利]包括在漂移区中波动分布的净掺杂的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体主体，其具有相对的第一侧和第二侧；以及

位于所述半导体主体中的漂移区，其位于所述第二侧和pn结之间，

其中所述漂移区从所述pn结延伸至场截止区，所述场截止区相对于所述半导体主体中的任何场截止区具有距所述第一侧最小的垂直距离；

其中，从所述pn结至所述场截止区沿着所述漂移区的垂直延伸的至少50％，所述漂移区的净掺杂分布是波动的，并且包括在1x10¹³cm^-3和5x10¹⁴cm^-3之间的多个掺杂峰值；

其中器件阻断电压Vbr由pn结的击穿电压定义，所述pn结位于所述漂移区和相反导电类型的半导体区之间，所述半导体区被电耦接至所述半导体主体的所述第一侧。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述净掺杂的波动分布包括与氢有关的施主。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述净掺杂的波动分布包括至少两个最小值，并且所述至少两个最小值的掺杂浓度从所述第二侧向所述第一侧降低。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述净掺杂的波动分布包括至少三个最小值，并且所述至少三个最小值的掺杂浓度从所述第二侧向所述第一侧降低。

5.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述场截止区邻接n⁺掺杂的接触区，并且所述场截止区包括分别向所述第一侧和所述第二侧降低的掺杂峰分布。

6.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述漂移区的所述净掺杂的分布包括在深度范围0.45*Δ<d<0.55*Δ中的至少一个峰，d是相对于所述半导体主体的所述第一侧的垂直距离，Δ是所述半导体主体在所述第一侧和所述第二侧之间的厚度。

7.如权利要求1所述的半导体器件，

其中位于所述漂移区的净掺杂峰的最大值的一半的全宽度从所述第二侧向所述第一侧增加。

8.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括

与氢有关的施主，其在结终止区中，位于所述pn结和所述第一侧之间。

9.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括

p⁺掺杂区和n⁺掺杂区，其沿着平行于所述第二侧的横向方向被交替地布置，并且被电连接至位于所述第二侧的电极。

10.如权利要求9所述的半导体器件，

其中所述p⁺掺杂区是被连续的n⁺区横向地包围的分开的p⁺区，所述n⁺区包括所述n⁺区域。

11.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括

p掺杂区，其被埋在所述半导体主体中且位于所述第二侧，并且被埋置在所述半导体主体的n掺杂半导体材料中。

12.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是二极管，并且所述半导体区是阳极区。

13.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体器件是绝缘栅双极型晶体管，并且所述半导体区是被电耦接至所述绝缘栅双极型晶体管的发射极端子的主体区。

14.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述漂移区的部分的净掺杂浓度小于所述半导体区的原材料的掺杂浓度。