[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法

摘要

一种异质结太阳能电池包含半导体基板、第一n型缓冲层、第二n型缓冲层、第一非晶硅半导体层、第二非晶硅半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法首先是提供一半导体基板；接着在半导体基板的第一表面与第二表面上分别形成第一n型缓冲层与第二n型缓冲层；然后在第一n型缓冲层与第二n型缓冲层上分别形成第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层；接下来在第一非晶硅半导体层与第二非晶硅半导体层上分别形成第一透明导电层与第二透明导电层；最后在第一透明导电层与第二透明导电层上分别设置第一导线与第二导线，缓冲层具有降低界面缺陷浓度、降低阻值与增强场效应的钝化效果。

主权项

一种异质结太阳能电池，包含：一半导体基板，具有相对设置的一第一表面与一第二表面，且所述半导体基板掺杂有一第一型半导体；一第一n型缓冲层，设置于所述第一表面上，并且包含：一第一n型非晶硅半导体层，设置在所述第一表面上，且所述第一n型非晶硅半导体层的n型半导体掺杂浓度介于1×10¹⁴至1×10¹⁶原子/厘米³；以及一第二n型非晶硅半导体层，设置在所述第一n型非晶硅半导体层上；一第二n型缓冲层，设置在所述第二表面上，并且包含：一第三n型非晶硅半导体层，设置在所述第二表面上，且所述第三n型非晶硅半导体层的n型半导体掺杂浓度介于1×10¹⁴至1×10¹⁶原子/厘米³；以及一第四n型非晶硅半导体层，设置在所述第三n型非晶硅半导体层上；一第一非晶硅半导体层，设置在所述第一n型缓冲层上，并掺杂有一第二型半导体；一第二非晶硅半导体层，设置在所述第二n型缓冲层上，并掺杂有所述第一型半导体；一第一透明导电层，设置在所述第一非晶硅半导体层上；以及一第二透明导电层，设置在所述第二非晶硅半导体层上。