[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201510011892.X | 申请日： | 2015-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN105826332A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈政;张海芳;包德君;王伟;李新;张蓓蓓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括底部晶圆和键合于所述底部晶圆上的顶部晶圆，所述底部晶圆朝向顶部晶圆的表面具有金属端子；刻蚀所述顶部晶圆，在所述顶部晶圆中形成露出所述金属端子的开口。通过刻蚀的方法去除顶部晶圆的材料不容易产生碎屑，并且不容易对顶部晶圆中的半导体器件造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括底部晶圆和键合于所述底部晶圆上的顶部晶圆，所述底部晶圆朝向顶部晶圆的表面具有金属端子；刻蚀所述顶部晶圆，在所述顶部晶圆中形成露出所述金属端子的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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