[发明专利]三维半导体存储器结构及相应的方法与装置有效
| 申请号： | 201510001701.1 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105826317B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨金成 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L23/528;H01L21/822;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D半导体存储器中的LC模块的布局设计配置，其避免大的段差高度。此布局设计配置建立绝缘/导电层对，其中邻近的对在高度上的差异不超过两个绝缘/导电层对的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 结构 相应 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储器结构，其特征在于，包括：多个LC模块，该些模块包括：多个接触垫；及多个逐层开口部，使与该些接触垫连接，其中：该些LC模块被配置在多个层级上，各该层级是由一个对或多个对的导电材料及绝缘材料的交替层所形成，形成该些交替层的该些对为OP层对，其中在邻近层级的表面之间的一高度差异不超过两个该OP层对的厚度，且至少一对邻近的层级，它们的表面之间的高度差异为两个该OP层对的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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