[发明专利]半导体装置

摘要

IGBT(1)具有n型漂移层(5)；p型基极层(6)及n型发射极层(7)，它们形成在n型漂移层(5)的表面；以及p型集电极层(8)，其形成在n型漂移层(5)的背面。FWD(2)具有n型漂移层(5)、在n型漂移层(5)的表面形成的p型阳极层(10)、以及在n－型漂移层(5)的背面形成的n型阴极层(11)。在配线区域(3)和终端区域(4)处，在n－型漂移层(5)的表面形成有p型阱(12)。在配线区域(3)处，在p型阱(12)之上形成有配线(13)。相对于p型阳极层(10)，p型阱(12)的杂质浓度高且深度深。p型阱(12)与n型阴极层(11)的正上方区域分离，没有形成于n型阴极层(11)的正上方。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：IGBT即绝缘栅双极晶体管，其具有n型漂移层、p型基极层、n型发射极层、以及在所述n型漂移层的背面形成的p型集电极层，所述p型基极层及n型发射极层形成在所述n型漂移层的表面；FWD即续流二极管，其具有所述n型漂移层、在所述n型漂移层的表面形成的p型阳极层、以及在所述n型漂移层的背面形成的n型阴极层；p型阱，其在配线区域和终端区域形成于所述n型漂移层的表面；以及配线，其在所述配线区域形成于所述p型阱之上，相对于所述p型阳极层，所述p型阱的杂质浓度高且深度深，所述p型阱与所述n型阴极层的正上方区域分离，没有形成于所述n型阴极层的正上方。