[发明专利]用于非平面半导体器件鳍下中的III-V族半导体合金及其形成方法有效
| 申请号： | 201480083593.0 | 申请日： | 2014-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107004711B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | H·W·肯内尔;M·V·梅茨;W·拉赫马迪;G·杜威;C·S·莫哈帕特拉;A·S·默西;J·T·卡瓦列罗斯;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;夏青 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种半导体器件，包括鳍下区域和沟道，鳍下区域包括第一III‑V族半导体合金，沟道包括第二III‑V族半导体合金。在一些实施例中，半导体器件包括衬底，衬底包括由至少两个沟槽侧壁限定的沟槽，其中第一III‑V族半导体合金沉积于衬底上沟槽之内，第二III‑V族半导体合金外延生长于第一III‑V族半导体合金上。在一些实施例中，所述第一III‑V族半导体合金和所述第二III‑V族半导体合金之间的导带偏移大于或等于大约0.3电子伏。还描述了制造这种半导体器件和包括这种半导体器件的计算装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面 半导体器件 中的 iii 半导体 合金 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括由至少两个沟槽侧壁限定的沟槽；第一III‑V族半导体合金，所述第一III‑V族半导体合金位于所述衬底上和所述沟槽之内；第二III‑V族半导体合金，所述第二III‑V族半导体合金位于所述第一III‑V族半导体合金上；其中：在所述第一III‑V族半导体合金上外延生长所述第二III‑V族半导体合金；并且所述第一III‑V族半导体合金和所述第二III‑V族半导体合金之间的导带偏移大于或等于大约0.3电子伏。
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