[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201480071297.9 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105849913B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;神长正美;岛行德;羽持贵士;中泽安孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶晓勇;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种包括使用氧化物半导体并通态电流大的晶体管的半导体装置。一种半导体装置，包括：设置在驱动电路部中的第一晶体管；以及设置在像素部中的第二晶体管，其中，第一晶体管的结构和第二晶体管的结构互不相同。此外，第一晶体管及第二晶体管为顶栅结构的晶体管，被用作栅电极、源电极及漏电极的导电膜不重叠。此外，在氧化物半导体膜中，在不与栅电极、源电极及漏电极重叠的区域中具有杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n第一晶体管，包括：/n绝缘表面上的第一栅电极；/n所述第一栅电极上的第一绝缘膜；/n所述第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；/n与所述第一氧化物半导体膜接触的一对第一导电膜；/n所述第一氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；以及/n所述第二绝缘膜上的第二栅电极，/n第二晶体管，包括：/n所述第一绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；/n与所述第二氧化物半导体膜接触的一对第二导电膜；/n所述第二氧化物半导体膜上的所述第二绝缘膜；以及/n所述第二绝缘膜上的第三栅电极，以及/n所述第一晶体管和所述第二晶体管上的氧化物绝缘膜，/n其中，所述第二绝缘膜包括从所述第二栅电极的边缘部突出的第一区域，/n所述第一氧化物半导体膜包括第二区域，所述第二区域与所述第二绝缘膜的所述第一区域重叠而不与所述第二栅电极及所述一对第一导电膜重叠，/n所述第二绝缘膜包括从所述第三栅电极的边缘部突出的第三区域，/n所述第二氧化物半导体膜包括第四区域，所述第四区域与所述第二绝缘膜的所述第三区域重叠而不与所述第三栅电极及所述一对第二导电膜重叠，/n所述第二区域和所述第四区域均包含杂质元素，/n所述第三栅电极的侧面具有锥形形状，/n并且，所述氧化物绝缘膜与所述第三栅电极的顶面和所述侧面、所述第二绝缘膜的所述第三区域、所述第一氧化物半导体膜以及所述第二氧化物半导体膜接触。/n
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