[发明专利]半导体基板的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法

摘要

一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。

主权项

1.一种半导体基板的处理液，其是从具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将该半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分，关于防蚀成分，使用选自下述式(1)或式(10)所表示的化合物及具有式(7)～式(9)所表示的重复单元的化合物的防蚀成分作为抑制剂型的防蚀成分，使用所述式(2)～式(6)及式(11)中任意一个所表示的化合物作为还原剂型的防蚀成分：[化学式1]R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基团；La表示连结基；M1‑、M2‑、及M3‑表示抗衡阴离子；式(5)中的虚线表示单键及双键中任意一个；在虚线为双键时，并无R52、R54；式(6)中的虚线表示R61任选为氧原子或硫原子，与其所键合的碳原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；LR表示单键或连结基，所述式(1)中，R11～R14分别独立地表示碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，其至少1个的碳原子数为2以上；所述式(2)中，R21及R22分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、碳原子数为1～12的酰基、碳原子数为1～12的烷氧基、氨基羰基、肼基、肼基羰基、C(NRN)NRN2(RN是氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基)；所述式(3)中，R31～R34分别独立地与R21及R22同义；所述式(4)中，R41～R45分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；所述式(5)中，R51～R56分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；所述式(6)中，R61及R62分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、或形成羰基的氧原子；所述式(7)中，R71表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(8)中，R81及R82表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，LR表示单键、碳原子数为1～12的亚烷基、碳原子数为2～12的亚烯基、碳原子数为6～14的亚芳基、或碳原子数为7～15的亚芳烷基，R83表示氢原子或甲基；所述式(9)中，R91及R92表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(10)中，RA1表示碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；或者，所述式(11)中，碳原子数RB1及RB2分别独立地为碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基、或氨基。