[发明专利]半导体基板的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法

说明书

一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。

技术领域

本发明涉及一种冲洗液、显影液、剥离液等半导体基板的处理液、其处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。

背景技术

在半导体元件(半导体装置)的制造工序中包含光刻工序、蚀刻工序、离子注入工序等各种工序。因此，在各工序的结束后、或移至下一个工序之前，一般包含对有机物进行处理的工序。例如，实施将基板表面所残存的抗蚀剂剥离·去除的处理(剥离处理)。或者，有时在该去除或剥离之后，进一步实施净化表面的处理(冲洗处理)。而且，在显影工序中要求仅在所期望的位置正确地去除抗蚀剂(显影处理)。

作为现有的有机残渣剥离处理方法，利用使用浓硫酸与过氧化氢的混合溶液(SPM：Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)或氨与过氧化氢的混合溶液(APM：Ammonia-peroxide mixture)的工艺(参考专利文献1～专利文献3)。由此可有效地剥离基板加工后的抗蚀剂。另一方面，该方法中虽然抗蚀剂的剥离性优异，但处理液的氧化力过强，因此有时对构成基板的材料造成损伤。若考虑半导体装置的小型化及高度集成化不断发展的最近的实际情况，则期望这种损伤即使微小也可避免。而且，在使用SPM或APM的方法中，有时产生化学品本身的操作性、或急剧的温度上升等，因此自可靠性的观点考虑，未必是可令人满意的方法。

因此，要求对栅极绝缘膜或基板等的影响少、可靠性更优异的清洗技术，作为其中之一，例如提出了利用二氧化碳气体发泡的新的处理方法(参考专利文献4、专利文献5)。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-268308号公报

专利文献2：日本特开2005-189660号公报

专利文献3：日本特开2012-049391号公报

专利文献4：日本特开2012-094703号公报

专利文献5：日本特开2012-094702号公报

专利文献6：日本特开2001-119026号公报

专利文献7：日本特开2008-166809号公报

发明的概要

发明要解决的技术课题

作为半导体基板材料，以往广泛使用硅(Si)。另一方面，受到半导体元件中所使用的要求性能日益提高的影响，使用锗(Ge)的技术(专利文献6、专利文献7)受到关注，尝试其实用化。另一方面，与硅相比而言，锗对化学药品的耐受性低，担心在其制造工序中的各处理中受到损伤。

因此，本发明的目的在于提供：应用于具有含有锗的层的半导体基板，抑制或防止该锗的损伤，且可适宜地进行其上侧的有机物的去除或基板表面的清洗的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。更具体而言，其目的在于提供适合于作为所述处理的冲洗处理、显影处理、剥离处理的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。

用于解决技术课题的手段

所述问题可通过以下方式而解决。

[1]一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，

包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。