[发明专利]功率半导体的过压保护电路和保护功率半导体不受过压损害的方法

摘要

本发明创造了一种过压保护电路5以及一种用于保护功率半导体（31，32）不受过压损害的方法。为此，在功率半导体开关上附着的电压首先借助电阻分压器被转换到与附在功率半导体开关上的电压相一致的低电压信号。于是，被减小的电压信号通过过压检测器（例如齐纳二极管或者抑制二极管）被分析，并且在超过该二极管的响应电压时，要被保护的功率半导体开关被操控。通过借助于分压器来降低电压水平，具有较低的电压水平的齐纳二极管或者抑制二极管能够被用来监控过压，所述齐纳二极管或者抑制二极管相对于相对应的具有较高的电压水平的二极管具有被改善的运行特性。

主权项

1.用于功率半导体开关（31、32）的过压保护电路（5），其具有：被布置在所述过压保护电路（5）的第一端接线点（E）与节点（K）之间的第一电阻（R1）；被布置在节点（K）与所述过压保护电路（5）的第二端接线点（A）之间的第二电阻（R2）；具有控制端子、输入端和输出端的半导体开关（Q2），其中所述输出端与过压保护电路（5）的第二端接线点（A）相连；和过压检测器（Z2），所述过压检测器（Z2）被设计为在超过在过压检测器（Z2）的两个端子之间的预先确定的电压时转变到至少部分电导通的状态，其中过压检测器（Z2）被布置在节点（K）与半导体开关（Q2）的控制端子之间的电流路径中。