[发明专利]功率半导体的过压保护电路和保护功率半导体不受过压损害的方法

权利要求书

1.用于功率半导体开关（31、32）的过压保护电路（5），其具有：

被布置在所述过压保护电路（5）的第一端接线点（E）与节点（K）之间的第一电阻（R1）；

被布置在节点（K）与所述过压保护电路（5）的第二端接线点（A）之间的第二电阻（R2）；

具有控制端子、输入端和输出端的半导体开关（Q2），其中所述输出端与过压保护电路（5）的第二端接线点（A）相连；和

过压检测器（Z2），所述过压检测器（Z2）被设计为在超过在过压检测器（Z2）的两个端子之间的预先确定的电压时转变到至少部分电导通的状态，其中过压检测器（Z2）被布置在节点（K）与半导体开关（Q2）的控制端子之间的电流路径中。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路（5），其中，所述过压检测器（Z2）是齐纳二极管、抑制二极管或者雪崩二极管。

3.根据权利要求1或2所述的过压保护电路（5），其中，所述预先确定的电压小于10伏特，在所述预先确定的电压的情况下，所述过压检测器（Z2）转变到至少部分电导通的状态。

4.根据权利要求1或2所述的过压保护电路（5），其中，所述半导体开关（Q2）是MOSFET或者双极型晶体管。

5.根据权利要求1或2所述的过压保护电路（5），其中，所述半导体开关（Q2）的输入端与所述过压保护电路（5）的第一端接线点（E）相连。

6.根据权利要求1或2所述的过压保护电路（5），其中，所述半导体开关（Q2）的输入端与所述过压保护电路（5）的供电电压（V_DD）相连。

7.整流器电路，其具有：

功率半导体开关（31、32）；和

根据权利要求1至6之一所述的过压保护电路（5）。

8.根据权利要求7所述的整流器电路，其中，所述整流器电路包括多个级联的过压保护电路（5）。

9.用于保护功率半导体开关（31、32）不受过压损害的方法（100），其具有如下步骤：

提供（110）具有第一电阻（R1）和第二电阻（R2）的分压器，所述分压器利用所述第一电阻（R1）被电连接在节点（K）上；

通过分压器检测（120）在所述功率半导体开关（31、32）的端子上的电压；

通过过压检测器（Z2）监控（130）在所述分压器的节点（K）上的电压；

如果由过压检测器（Z2）所监控的在所述分压器的节点（K）上的电压超过预先确定的电压，则操控（140）半导体开关（Q2）；和

输出（150）过压保护控制信号。