[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201480055288.0 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN105612608B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 牧田直树;刀根觉 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G09F9/30;H01L21/20;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;杨艺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(100)包括：基板(11)；第一薄膜晶体管(10A)，其由基板(11)支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域(13c)；和第二薄膜晶体管(10B)，其由基板(11)支承，具有第二有源区域(17c)，该第二有源区域(17c)主要包含具有结晶部分的氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n基板；/n第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管由所述基板支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域；/n第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管由所述基板支承，具有第二有源区域，该第二有源区域主要包含具有结晶部分的氧化物半导体；和/n绝缘层，该绝缘层设置于与包含所述第一有源区域的层和包含所述第二有源区域的层不同的层且介于这些层之间，/n在从所述基板的法线方向看时，所述绝缘层与所述第一有源区域和所述第二有源区域这两者重叠，/n所述绝缘层具有叠层结构，该叠层结构包括能够供给氢的氢供应性的层和比所述氢供应性的层更靠所述第二有源区域侧的能够供给氧的氧供应性的层，/n覆盖所述第一薄膜晶体管的栅极电极和所述第一有源区域的第一层间绝缘膜与所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘膜形成在所述绝缘层内，覆盖所述第一薄膜晶体管的所述栅极电极和所述第一有源区域的所述第一层间绝缘膜与所述第二薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜分别包括所述氢供应性的层和所述氧供应性的层这两者。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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