[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；

第一薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管由所述基板支承，具有主要包含结晶硅的第一有源区域；

第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管由所述基板支承，具有第二有源区域，该第二有源区域主要包含具有结晶部分的氧化物半导体；和

绝缘层，该绝缘层设置于与包含所述第一有源区域的层和包含所述第二有源区域的层不同的层且介于这些层之间，

在从所述基板的法线方向看时，所述绝缘层与所述第一有源区域和所述第二有源区域这两者重叠，

所述绝缘层具有叠层结构，该叠层结构包括能够供给氢的氢供应性的层和比所述氢供应性的层更靠所述第二有源区域侧的能够供给氧的氧供应性的层，

覆盖所述第一薄膜晶体管的栅极电极和所述第一有源区域的第一层间绝缘膜与所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘膜形成在所述绝缘层内，覆盖所述第一薄膜晶体管的所述栅极电极和所述第一有源区域的所述第一层间绝缘膜与所述第二薄膜晶体管的所述栅极绝缘膜分别包括所述氢供应性的层和所述氧供应性的层这两者。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述绝缘层的所述氢供应性的层主要包含氮化硅，所述氧供应性的层主要包含氧化硅。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一薄膜晶体管的所述栅极电极与所述第二薄膜晶体管的栅极电极在同一层内形成。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一薄膜晶体管的源极电极和漏极电极与所述第二薄膜晶体管的源极电极和漏极电极在同一层内形成。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一薄膜晶体管具有顶栅结构，所述第二薄膜晶体管具有底栅结构。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

还包括：具有多个像素的显示区域；和设置在所述显示区域以外的区域且具有驱动电路的驱动电路形成区域，

所述第一薄膜晶体管在所述驱动电路形成区域构成所述驱动电路，

所述第二薄膜晶体管配置在所述显示区域的各像素。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

所述驱动电路包括源极切换电路。

8.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述氧化物半导体包含In-Ga-Zn-O类半导体。

9.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述结晶硅为多晶硅。

10.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，该半导体装置的制造方法的特征在于，包括：

工序(A)，在具有绝缘表面的基板上形成结晶硅层，该结晶硅层包含成为所述第一薄膜晶体管的有源区域的部分；

工序(B)，在结晶硅层之上形成第一绝缘层；

工序(C)，在所述第一绝缘层上形成所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅极电极；

工序(D)，形成覆盖所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的所述栅极电极的第二绝缘层；

工序(E)，在所述第二绝缘层上形成非晶氧化物半导体层，该非晶氧化物半导体层包含成为所述第二薄膜晶体管的有源区域的部分；

工序(F)，通过加热处理，从所述第二绝缘层向所述结晶硅层供给氢而进行所述结晶硅层的氢化，并且使所述非晶氧化物半导体层结晶化，得到具有结晶部分的氧化物半导体层；和

工序(G)，形成与所述结晶硅层连接的、所述第一薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，以及与具有所述结晶部分的氧化物半导体层连接的、所述第二薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，

在所述工序(D)中，作为所述第二绝缘层，形成叠层膜，该叠层膜包含能够供给氢的氢供应性的层和配置在所述氢供应性的层之上的能够供给氧的氧供应性的层。