[发明专利]半导体放射线检测器、使用其的核医学诊断装置、以及半导体放射线检测器的制造方法有效
| 申请号： | 201480052242.3 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105579868A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 小南信也;瓮久实;小桥启司 | 申请（专利权）人： | 日立阿洛卡医疗株式会社 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T1/161;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 范胜杰;曹鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体放射线检测器(101)使用被阴极(112)和阳极(113)夹着的半导体晶体(111)而构成。半导体晶体(111)由如下溴化铊单晶构成：作为杂质的铅的浓度为不足0.1ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的、试样倾斜角扫描中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。由此，能够测量122keV和662keV的γ射线能谱，针对122keV的γ射线得到8％以下的能量分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 放射线 检测器 使用 核医学 诊断 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体放射线检测器，使用被阴极和阳极夹着的半导体晶体而构成，其特征在于，所述半导体晶体由如下溴化铊单晶构成：作为杂质的铅的浓度不足0.1ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的试样倾斜角扫描中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。
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- 韩和同;陈翔;傅录祥;宋朝晖;管兴胤;张子川;刘君红;李刚;卢毅 - 西北核技术研究所
- 2017-04-01 - 2019-06-07 - G01T1/24
- 本发明涉及一种辐射探测装置，具体涉及一种基于短波光注入的快时间响应半导体辐射探测器及其制作方法，包括探测器本体，所述探测器本体包括探测器前盖及半导体晶体，还包括短波光源，所述短波光源设置于探测器前盖内侧壁上，短波光源指向半导体晶体中心，短波光源的发射角度覆盖整个半导体晶体空间区域，短波光源的中心波长低于半导体晶体禁带宽度对应的波长。解决了晶体质量对探测器时间响应特性的影响，为脉冲辐射场测量提供具有快时间响应特性的新型CZT探测器。
- 一种契连柯夫事例脉冲数字化方法与装置-201910022247.6
- 邓贞宙;赖文升;陈冠东;刘志涛;段志文;韩春雷 - 南昌大学
- 2019-01-10 - 2019-05-31 - G01T1/24
- 本发明公开了一种契连柯夫事例脉冲数字化方法与装置，属于事例脉冲检测系统、光电信号处理和核探测领域，一种契连柯夫事例脉冲数字化方法包括步骤S1：获得契连柯夫事件发射光子的数据集，S2：获得背景光的数据集，S3：计算每个时间段的契连柯夫事件发射光子的数据集的联合似然概率函数或后验概率函数，且计算每个时间段的背景光的数据集的联合似然概率函数或后验概率函数，S4：判断每个时间段的数据集是背景光的数据集还是契连柯夫事件发射光子的数据集。一种契连柯夫事例脉冲数字化装置包括契连柯夫事件发射光子数据集获得模块、背景光子数据集获得模块、独立光子关联器模块、以及事件分类器模块。本发明图像信噪比和空间分辨率高。
- 半导体辐射探测器-201480011455.1
- F·韦尔巴凯尔;K·J·恩格尔;A·J·M·内利森;H·K·维乔雷克;E·C·E·范格鲁斯温;I·M·布勒维;R·斯特德曼布克 - 皇家飞利浦有限公司
- 2014-02-28 - 2019-05-31 - G01T1/24
- 本发明涉及一种用于探测辐射，特别是探测在计算机断层摄影系统中使用的X射线辐射的探测器(6)。所述探测器包括用于将辐射转换成电子和空穴的直接转换材料(9)，所述电子和空穴用于生成电探测信号。利用为宽带可见光和/或宽带红外光的照射光来照射所述直接转换材料，以用于减小，具体为用于消除所述直接转换材料的极化，所述极化可以发生在由要被探测的辐射穿过所述直接转换材料时，并且所述极化可以降低探测性能。通过减小所述直接转换材料的所述极化，能够提高所述探测性能。
- 一种光导及核探测器-201711098631.1
- 牛明;刘彤;谢庆国 - 苏州瑞派宁科技有限公司
- 2017-11-09 - 2019-05-17 - G01T1/24
- 本发明提供一种光导及核探测器，光导包括若干个依序排列的光导条，每个光导条具有相对的光导条大面和光导条小面，光导条大面和光导条小面的边长均分为若干个不同等级，光导条大面构成上表面，下表面平行于上表面，所有的光导条小面构成下表面，光导条大面的数量与光导条小面的数量相同，下表面的面积小于上表面的面积，侧面连接上表面和下表面。核探测器还包括闪烁晶体阵列，光导的上表面与闪烁晶体下表面耦合，光导的下表面与光电转换器件耦合，光导条大面的数量与光导条小面的数量相同，下表面的面积小于上表面的面积，光导条大面的边长不小于闪烁晶体条的边长。本发明成本低廉，光子损失率低，同时边缘晶体条也能实现清晰分辨。
- 一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构-201910000249.5
- 不公告发明人 - 中国人民解放军63653部队
- 2019-01-01 - 2019-05-07 - G01T1/24
- 本发明主要应用于现场测量241Am低能γ射线，特别是一种用于现场低能γ射线测量的散射抑制探测结构，主探测器设计成圆柱井形结构，在呈圆柱井形的主探测器中放置抑制探测器，根据低能γ射线的能量沉积分布特点，选用具有高分辨率的高纯锗HPGe作为主探测器，选用具有较高探测效率的锗酸铋BGO闪烁晶体作为抑制探测器，抑制探测器设计成圆柱形实体结构；在满足便携性要求前提下选择合适的圆柱井形主探测器的直径D+2T和长度L+T，主探测器周壁径向厚度与底部厚度T在2‑9mm内统一选取，圆柱形抑制探测器的直径D与长度L由主探测器的直径与长度尺寸确定。本发明可有效提高现场测量低能γ射线的能力。
- 专利分类
