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[发明专利]晶体培养用坩埚、具备该晶体培养用坩埚的晶体培养装置以及晶体培养方法-CN201480076252.0有效
发明人：神田乔之;小南信也;上野雄一郎;石津崇章;清野知之;高桥勋 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：作为用于晶体培养的晶体培养用坩埚(10)，使用一种坩埚，其具备：保持原料(20)的保持部(12)；回收使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的初级馏出物(24)的初级馏出物回收部(14)；对使保持于保持部(12)的原料(20)气化了时的主馏出物进行凝缩的主馏出物凝缩部(16)；以及对由主馏出物凝缩部(16)凝缩后的原料熔液(28)所构成的主馏出物(30)进行保持且在使晶体从所保持的主馏出物(30)培养时用于生成晶体的晶体培养部(18)。由此，能够实现半导体晶体的原料的高纯度化，并且能够提高晶体的制造效率。
晶体培养馏出物凝缩坩埚晶体的气化半导体晶体原料熔液回收高纯度制造

[发明专利]放射线检测元件和具备其的放射线检测器、核医学诊断装置以及放射线检测元件的制造方法-CN201480063626.5在审
发明人：高桥勋;小南信也;清野知之 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：放射线检测元件(1)具备以铊离子与溴离子结合而成的化合物即离子电子混合传导体为原材料的结晶部(10)、在该结晶部(10)的一个面上形成的金属电极(13a)、以及在与形成有该金属电极(13a)的面相对的面上形成的金属电极(13b)，结晶部(10)在形成有金属电极(13a、13b)的面上具有金属含有部(12)，所述金属含有部(12)含有将溴元素选择性地去除以使铊离子成为中性而得到的铊。由此，可提供抑制了极化所引起的问题的产生、可实用的放射线检测元件及其制造方法。
放射线检测元件具备检测器核医学诊断装置以及制造方法

[发明专利]半导体放射线检测器、使用其的核医学诊断装置、以及半导体放射线检测器的制造方法-CN201480052242.3有效
发明人： 小南信也;瓮久实;小桥启司 -专利权人：日立阿洛卡医疗株式会社
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：半导体放射线检测器(101)使用被阴极(112)和阳极(113)夹着的半导体晶体(111)而构成。半导体晶体(111)由如下溴化铊单晶构成：作为杂质的铅的浓度为不足0.1ppm，且X射线衍射中的(110)摇摆曲线的、试样倾斜角扫描中的半峰全宽为1.6deg以下，试样面内旋转角扫描中的半峰全宽为3.5deg以下，X射线入射角扫描中的半峰全宽为1.3deg以下。由此，能够测量122keV和662keV的γ射线能谱，针对122keV的γ射线得到8％以下的能量分辨率。
半导体放射线检测器使用核医学诊断装置以及制造方法

[发明专利]半导体放射线检测器以及核医学诊断装置-CN201380006840.2无效
发明人： 小南信也 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明提供一种溴化铊半导体放射线检测器、以及使用了其的核医学诊断装置，所述溴化铊半导体放射线检测器即使在长时间的测量中也噪声增大少并且可获得稳定的测量性能。在使用溴化铊作为由负电极以及正电极(112、113)夹持的半导体晶体(111)而成的半导体放射线检测器(101A)中，形成了如下构成：用钝化层(114)被覆了半导体晶体(111)的表面之中除了被负电极或者正电极(112、113)被覆的面以外的剩余面，该钝化层(114)由铊的氟化物、铊的氯化物这两种物质之中的任一种物质、或者前述两种物质之中的任一种物质与铊的溴化物的混合物构成。
半导体放射线检测器以及核医学诊断装置

[发明专利]半导体放射线检测器及使用它的核医学诊断装置-CN201310062269.8无效
发明人： 小南信也;翁久实;小桥启司 -专利权人：日立民用电子株式会社
申请日： 2013-02-27 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种能计测122keV和662keV的γ射线能谱的半导体放射线检测器及使用它的核医学诊断装置。半导体放射线检测器（101）使用被阴极（112）和阳极（113）夹着的半导体晶体（113）而成。半导体晶体（111）由作为杂质的铅的浓度小于0.1ppm的溴化铊的单晶构成。由于溴化铊单晶中的铅原子的浓度小，所以铅原子能够对铊原子进行置换的晶体中的缺陷的密度变小，能加长电荷载流子的捕获长度，因而，作为放射线检测器，能以高的能量分辨率计测122keV和662keV的γ射线能谱。
半导体放射线检测器使用核医学诊断装置

[发明专利]超导器件-CN88101032.4无效
发明人：西野寿一;川边潮;樽谷良信;小南信也;会田敏之;深泽德海;波田野睦子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1988-02-27 - 公布日： 1990-04-04 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的C一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。
超导器件

[其他]超导器件-CN88101032无效
发明人：西野寿一;川边潮;樽谷良信;小南信也;会田敏之;深泽德海;波田野睦子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1988-02-27 - 公布日： 1988-09-21 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：超导器件包括超导体一正常导体或半导体一超导体结构型，和在两超导体之间夹有一超导弱连接区的结构型。构成超导器件的超导体是由钙钛矿型或K2NF4型氧化物组成含有选自元素组Ba，Sr，Ca，Mg和Ra中的至少一种元素；选自元素组La、Y、Ce、Sc、Sm、Eu、Er、Gd、Ho、Yb、Nd、Pr、Lu、和Tb中的至少一种元素；Cu；和O。超导体晶体的G一轴方向基本与流经该超导体的电流方向垂直。
超导器件