[发明专利]快速固化半导体聚合物层的两步法有效
| 申请号： | 201480051294.9 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN105556645B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | W.B.罗杰斯;W.G.M.范登霍克 | 申请（专利权）人： | 德卡技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉;王华芹 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
本发明描述了一种半导体器件及制造所述半导体器件的方法。提供半导体裸片。在所述半导体裸片上形成聚合物层。在所述聚合物层中形成通孔。在第一工艺中使所述聚合物层交联。在第二工艺中使所述聚合物层热固化。所述聚合物层可包含聚苯并 |
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| 搜索关键词： | 快速 固化 半导体 聚合物 步法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体裸片；在所述半导体裸片上方形成聚合物层；在所述聚合物层中形成通孔；在第一工艺中通过如下使所述聚合物层的表面交联：将所述聚合物层在低于所述聚合物层的玻璃化转变温度(Tg)的温度下暴露于紫外(UV)辐射以使所述聚合物层的表面交联；以及在所述第一工艺之后在第二工艺中通过如下使所述聚合物层热固化：将所述聚合物层的温度以大于或等于10摄氏度/分钟的速率升高到所述第二工艺的峰值温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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