[发明专利]具有去耦合的电容器的非对称密集非易失性存储器

摘要

一种非易失性存储器(“NVM”)位单元包括电容器、非对称地掺杂的晶体管和隧穿器件。电容器、晶体管和隧穿器件每个电耦合到不同的有源区和金属接触。这三个器件通过横跨三个有源区的浮置栅极耦合。隧穿器件形成在有源区中以实现用于引起隧穿的电压的更大的动态范围。FN隧穿器件用于擦除器件，以实现更快的页擦除并且从而实现功能的快速测试和验证。非对称晶体管结合电容器用于编程和读取浮置栅极的逻辑状态。电容器和浮置栅极电容性地耦合在一起，以消除执行读取和写入操作对于单独的选择器件的需要。

主权项

1.一种非易失性存储器位单元，包括：隧穿器件，包括：在衬底的第一有源区上方的浮置栅极的第一部分，在所述浮置栅极的所述第一部分下方的所述第一有源区的部分，所述第一有源区是包括轻掺杂漏极(LDD)注入物的原生区域，所述轻掺杂漏极注入物在所述浮置栅极的所述第一部分下方的所述第一有源区的所述部分中与其自身交叠，以及在所述第一有源区的所述部分与所述浮置栅极的所述第一部分之间的第一绝缘层，所述隧穿器件被配置成响应于向所述第一有源区施加电压而引起电荷载流子在所述第一有源区与所述浮置栅极的所述第一部分之间过渡；晶体管，包括源极、漏极、以及在所述衬底的第二有源区上方的所述浮置栅极的第二部分，所述源极和所述漏极形成在所述第二有源区中，其中所述源极和所述漏极均包括第一极性的第一注入物，其中所述源极包括与所述第一极性相反的第二极性的第二注入物，以及其中所述漏极不包括所述第二极性的注入物；电容器，包括第一极板、第二极板、以及在所述第一极板与所述第二极板之间的第二绝缘层，所述第一极板包括在所述衬底的第三有源区上方的所述浮置栅极的第三部分，并且所述第二极板包括在所述浮置栅极的所述第三部分下方的所述第三有源区的部分。