[发明专利]半导体装置有效
| 申请号: | 201480032850.8 | 申请日: | 2014-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN105283951B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
| 发明(设计)人: | 杉浦俊;大仓康嗣;藤井岳志;今川铁太郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装;富士电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/822 | 分类号: | H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04;H01L29/41;H01L29/417 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 一种半导体装置具备具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,具备:半导体基板(12),具有元件;表面电极(18),与上述元件电连接,并且设置在上述半导体基板的表面上,背面电极(14),与上述元件电连接,并且设置在上述半导体基板的与上述表面相反的背面上;保护膜(20),设置在上述半导体基板的表面上的分离区域(28);以及温度传感器(22),设置在上述半导体基板的表面侧,在上述分离区域中,通过上述保护膜,上述表面电极在沿着上述表面的至少2个方向上被分割为多个,上述分离区域包括:位于被分割而相互相邻的上述表面电极的对置边之间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32),上述温度传感器仅配置在上述对置区域,至少2个方向是沿着上述表面且相互正交的行方向以及列方向,上述表面电极(18)在行方向以及列方向上分别被分割为多个,上述表面电极(18)在上述行方向上被分割为奇数个,在上述列方向上被分割为偶数个,上述温度传感器(22)被配置于与上述行方向上奇数个的正中间对应的上述对置区域(30)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





