[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201480032850.8 申请日: 2014-05-29
公开(公告)号: CN105283951B 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 杉浦俊;大仓康嗣;藤井岳志;今川铁太郎 申请(专利权)人: 株式会社电装;富士电机株式会社
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04;H01L29/41;H01L29/417
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体装置具备具有元件的半导体基板(12)、与上述元件连接的表面电极(18)、与上述元件连接的背面电极(14)、设置于上述半导体基板的表面上的分离区域(28)的保护膜(20)、以及设置于上述半导体基板的表面侧的温度传感器(22)。上述表面电极通过上述保护膜在至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于相邻的上述表面电极的对置边间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32)。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具备:半导体基板(12),具有元件;表面电极(18),与上述元件电连接,并且设置在上述半导体基板的表面上,背面电极(14),与上述元件电连接,并且设置在上述半导体基板的与上述表面相反的背面上;保护膜(20),设置在上述半导体基板的表面上的分离区域(28);以及温度传感器(22),设置在上述半导体基板的表面侧,在上述分离区域中,通过上述保护膜,上述表面电极在沿着上述表面的至少2个方向上被分割为多个,上述分离区域包括:位于被分割而相互相邻的上述表面电极的对置边之间的对置区域(30)、和上述对置区域相交的交叉区域(32),上述温度传感器仅配置在上述对置区域,至少2个方向是沿着上述表面且相互正交的行方向以及列方向,上述表面电极(18)在行方向以及列方向上分别被分割为多个,上述表面电极(18)在上述行方向上被分割为奇数个,在上述列方向上被分割为偶数个,上述温度传感器(22)被配置于与上述行方向上奇数个的正中间对应的上述对置区域(30)。
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