[发明专利]半导体装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2013年6月11日提交的日本申请第2013－122918号，这里引用其记载内容。

技术领域

本申请具备形成在半导体基板的表面的表面电极、形成在与表面相反的背面的背面电极和形成在半导体基板的表面侧的温度传感器，本申请涉及表面电极以及背面电极都被焊接的半导体装置。

背景技术

以往，已知有如专利文献1所记载的那样具备在半导体基板的表面形成的表面电极(发射极电极，Au镀膜)、在与表面相反的背面形成的背面电极、和在半导体基板的表面侧形成的温度传感器、并且表面电极以及背面电极都被焊接的半导体装置。

根据该半导体装置，能够在半导体基板的两面侧进行散热。

但是，在不仅焊接背面电极还焊接表面电极的半导体装置中，存在由于半导体基板和电极之间的线膨张系数差而在半导体装置上产生翘曲这样的问题。在专利文献1所记载的半导体装置中，在半导体基板的沿着表面的一个方向上，表面电极被分割。从而，虽然能够在一个方向上抑制翘曲，但是在与一个方向正交的方向上产生翘曲。

对此，还考虑了在沿着表面的至少2个方向上将表面电极分割。但是，在与温度传感器的配置无关地将表面电极分割时，产生温度传感器的配置部位的温度过度地变高、元件的温度检测精度降低这样的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－268496号公报

发明内容

发明的概要

本发明的目的在于，提供一种表面电极和背面电极都被焊接的半导体装置，在该半导体装置中抑制翘曲并且抑制温度传感器的温度检测精度的降低。

在本申请的第一形态中，半导体装置具备：具有元件的半导体基板、与上述元件电连接并且设置在上述半导体基板的表面上的表面电极、与上述元件电连接并且设置在上述半导体基板的与上述表面相反的背面上的背面电极、设置在上述半导体基板的表面上的分离区域的保护膜、以及设置在上述半导体基板的表面侧的温度传感器。在上述分离区域中，通过上述保护膜，上述表面电极在沿着上述表面的至少2个方向上被分割为多个。上述分离区域包含位于被分割而相互相邻的上述表面电极的对置边间的位置的对置区域、以及上述对置区域相交的交叉区域。上述温度传感器仅配置在上述对置区域。

在上述的半导体装置中，表面电极不是仅在沿着半导体基板的表面的一个方向上被分割而是在至少在2个方向上被分割，因此能够有效地抑制半导体装置的翘曲。此外，温度传感器仅被配置在对置区域，因此温度传感器周边的保护膜与被配置在交叉区域的构成相比较少。从而，能够抑制因在温度传感器周边集中配置保护膜而引起的热阻抗增加，进而能够抑制温度在温度传感器周边过度地变高。由此，对于元件的温度，能够抑制温度传感器的检测温度过度地变高、即能够抑制温度检测精度降低。

附图说明

关于本申请的上述目的以及其他的目的、特征和优点，边参照附图边通过下述的详细的记述来变得更加明确。其附图为：

图1是表示涉及第1实施方式的半导体装置的概略构成的平面图，

图2是沿着图1的II-II线的截面图，

图3是表示第1变形例的平面图，

图4是表示第2变形例的平面图，

图5是表示试验中使用的样本1的概略构成的平面图，

图6是表示试验中使用的样本2的概略构成的平面图，

图7是表示试验中使用的样本3的概略构成的平面图，

图8是表示试验中使用的样本4的概略构成的平面图，

图9是表示试验中使用的样本5的概略构成的平面图，

图10是表示试验中使用的样本6的概略构成的平面图，

图11是表示试验中使用的样本7的概略构成的平面图，

图12是表示各样本的翘曲量和热阻抗的图，

图13是表示涉及第2实施方式的半导体装置的概略构成的平面图，

图14是表示第3变形例的平面图，

图15是表示涉及第3实施方式的半导体装置的概略构成的平面图，

图16是表示第4变形例的平面图。

具体实施方式