[发明专利]半导体装置、固体摄像装置以及摄像装置有效
申请号: | 201480030714.5 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN105283957B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 月村光宏 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 该半导体装置具有第一基板、第二基板、连接部以及对准标记。所述连接部具有:第一电极,其配置于所述第一基板;第二电极,其配置于所述第二基板;以及连接凸块,其将所述第一电极与所述第二电极连接。所述对准标记具有:第一标记,其配置于所述第一基板;以及第二标记,其配置于与所述第二基板。所述第一标记的高度和所述第二标记的高度之和与所述第一电极的高度、所述第二电极的高度以及所述连接凸块的高度之和大致相等。 | ||
搜索关键词: | 第二电极 第二基板 第一电极 第一基板 半导体装置 对准标记 连接凸块 配置 固体摄像装置 摄像装置 相等 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其具有:第一基板;第二基板;连接部,其将所述第一基板和所述第二基板电连接;以及对准标记,其用于所述第一基板与所述第二基板的对准,所述连接部具有:第一电极,其配置于所述第一基板;第二电极,其配置于所述第二基板;以及连接凸块,其配置在所述第1电极与所述第2电极之间,将所述第一电极与所述第二电极电连接,所述对准标记具有:第一标记,其配置于所述第一基板;以及与所述第一标记绝缘的第二标记,其在所述第二基板上配置在与所述第一标记的位置对应的位置,所述第一标记的高度和所述第二标记的高度之和与所述第一电极的高度、所述第二电极的高度以及所述连接凸块的高度之和大致相等,所述连接凸块和所述第二标记同时形成,并且,所述第一基板和所述第二基板进行对准连接,使得所述第一标记的内周与所述第二标记的外周之间的距离相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的