[发明专利]半导体装置、固体摄像装置以及摄像装置

说明书

该半导体装置具有第一基板、第二基板、连接部以及对准标记。所述连接部具有：第一电极，其配置于所述第一基板；第二电极，其配置于所述第二基板；以及连接凸块，其将所述第一电极与所述第二电极连接。所述对准标记具有：第一标记，其配置于所述第一基板；以及第二标记，其配置于与所述第二基板。所述第一标记的高度和所述第二标记的高度之和与所述第一电极的高度、所述第二电极的高度以及所述连接凸块的高度之和大致相等。

技术领域

本发明涉及连接多张基板而形成的半导体装置、固体摄像装置以及摄像装置。本申请根据2013年6月7日在日本提出的特愿2013-121045号主张优先权，这里引用其内容。

背景技术

近年来，摄像机和电子静止照相机等广泛普及。在这些照相机中使用CCD(ChargeCoupled Device：电荷耦合器件)型或放大型的固体摄像装置。在放大型的固体摄像装置中，被入射光的像素的光电转换部所生成/蓄积的信号电荷被引导到设置于像素的放大部。由放大部放大后的信号从像素输出。在放大型的固体摄像装置中，以二维矩阵状配置有多个这种像素。对于放大型的固体摄像装置，存在例如使用了CMOS(Complementary MetalOxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)晶体管的CMOS型固体摄像装置等。

以往，一般的CMOS型固体摄像装置采用逐行依次读出由排列成二维矩阵状的各像素的光电转换部所生成的信号电荷的方式。在该方式中，由于各像素的光电转换部中的曝光定时由信号电荷的读出的开始和结束所决定，因此，曝光定时根据每行而不同。因此，当使用这种CMOS型固体摄像装置对移动较快的被摄体进行拍摄时，在拍摄到的图像内被摄体会失真。

为了消除该被摄体的失真，提出了用于实现信号电荷的蓄积的同时性的同时摄像功能(全局快门功能)。并且，具有全局快门功能的CMOS型固体摄像装置的用途正在变多。在具有全局快门功能的CMOS型固体摄像装置中，通常为了将光电转换部所生成的信号电荷蓄积至被读出，需要具备具有遮光性的蓄积电容部。在这种以往的CMOS型固体摄像装置中，在同时曝光了所有像素后，各光电转换部所生成的信号电荷在所有像素中同时地传送至各蓄积电容部而被暂时蓄积。所蓄积的信号电荷在规定的读出定时被依次转换成像素信号而读出。

在以往的具有全局快门功能的CMOS型固体摄像装置中，由于需要在同一基板的同一平面上制造光电转换部和蓄积电容部，因此基板面积增大。而且，在直到读出蓄积于蓄积电容部的信号电荷为止的待机期间中，因光引起的噪声、因蓄积电容部所产生的漏电流(暗电流)引起的噪声会导致信号的品质劣化。

在专利文献1中，公开了用于解决该问题的固体摄像装置。该固体摄像装置具有：MOS图像传感器基板，其按照每个单位单元在布线层侧形成有微型焊盘；以及信号处理基板，其在与MOS图像传感器基板的微型焊盘对应的位置的布线层侧形成有微型焊盘。所述MOS图像传感器基板与所述信号处理基板通过微凸块连接。并且，在专利文献2中，公开了防止基板面积增大的方法。在该方法中，使用了将形成有光电转换部的第一基板和形成有多个MOS晶体管的第二基板粘合的固体摄像装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-49361号公报

专利文献2：日本特开2010-219339号公报

发明内容

发明要解决的课题

在通过微凸块(以下，记作凸块)等连接构成固体摄像装置等半导体装置的两张基板(例如，上述的MOS图像传感器基板和信号处理基板)的工序的过程中，存在为了防止连接时的偏移而进行基板的对位(对准)的工序(对准工序)。在各基板上设置有被称作对准标记的标记。例如，存在使用了基底电极的对准标记，该基底电极用于形成连接各基板的凸块。