[发明专利]富集硅的前体组合物及使用其的设备和方法在审
| 申请号： | 201480029840.9 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105431927A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | J·J·迈耶;R·S·雷;R·凯姆;J·D·斯威尼 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 苏萌;钟守期 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了同位素富集的硅前体组合物，相对于缺乏该同位素富集的硅前体组合物的相应离子注入，其用在离子注入中以提高离子注入系统性能。该硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，并且可包括含有同种气体和稀释气体中至少一种的补充气体，所述至少一种硅化合物以28Si、29Si和30Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上。公开了用于将硅掺杂组合物提供至离子注入机的掺杂气体供应设备，以及包括掺杂气体供应设备的离子注入系统。 | ||
| 搜索关键词： | 富集 组合 使用 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入硅的方法，包括：离子化硅掺杂组合物以形成离子化的硅，并将离子化的硅与衬底接触以使硅注入衬底中，其中硅掺杂组合物包括至少一种硅化合物，所述至少一种硅化合物以28Si、29Si和30Si中的至少一种同位素富集至天然丰度以上，并且其中当硅掺杂组合物由以29Si富集的四氟化硅组成时，富集的水平在50原子％以上且最高达100原子％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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