[发明专利]β-Ga2O3系单晶的培养方法、以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201480025539.0 | 申请日： | 2014-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN105189836B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 舆公祥;增井建和;泷泽胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;株式会社光波 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B15/34 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;张铁兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一实施方式中提供β‑Ga2O3系单晶的培养方法，其使用了EFG法，并且包括：使坩埚(13)内的Ga2O3系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga2O3系熔体(12)接触；以及提拉与Ga2O3系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β‑Ga2O3系单晶(25)生长。 | ||
| 搜索关键词： | ga sub 系单晶 培养 方法 以及 系单晶基板 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种β‑Ga2O3系单晶的培养方法，其使用EFG法，包含如下工序：使坩埚内的Ga2O3系熔体通过模具的狭缝上升到所述模具的开口部为止，在晶种的水平方向的位置从所述模具的宽度方向W的中心向所述宽度方向W的端部侧偏移的状态下，使所述晶种与位于所述模具的开口部的所述Ga2O3系熔体接触；以及提拉与所述Ga2O3系熔体接触了的所述晶种，使β‑Ga2O3系单晶生长。
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