[发明专利]β-Ga2O3系单晶的培养方法、以及β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法

说明书

在一实施方式中提供β‑Ga₂O₃系单晶的培养方法，其使用了EFG法，并且包括：使坩埚(13)内的Ga₂O₃系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga₂O₃系熔体(12)接触；以及提拉与Ga₂O₃系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β‑Ga₂O₃系单晶(25)生长。

技术领域

本发明涉及β-Ga₂O₃系单晶(β-Ga₂O₃－based single crystal)的 培养方法、以及β-Ga₂O₃系单晶基板(β-Ga₂O₃－based single－crystal substrate)及其制造方法。

背景技术

以往，已知利用EFG法(Edge-defined Film-fed Growth：导模 法)使Ga₂O₃单晶生长的方法(例如，参照专利文献1)。根据专利 文献1所记载的方法，通过使Ga₂O₃单晶一边从与晶种接触的部分向 下方逐渐扩展宽度，即一边扩肩一边使其生长，从而能得到宽度比晶种大的平板状晶体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2006－312571号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在专利文献1所公开的方法中有如下问题：在向宽度方 向扩肩的工序中，Ga₂O₃单晶容易双晶化。

因此，本发明的目的是提供能得到宽度大的β-Ga₂O₃系晶种的 β-Ga₂O₃系单晶的培养方法，该β－Ga₂O₃系晶种用于在抑制向宽度 方向扩肩的情况下培养平板状β－Ga₂O₃系单晶，另外，另一目的在 于提供β-Ga₂O₃系单晶基板的制造方法：该制造方法使用了从通过 上述的培养方法所培养的β-Ga₂O₃系单晶所得到的宽度大的 β-Ga₂O₃系晶种。另外，又一目的在于提供利用该制造方法制造的 β-Ga₂O₃系单晶基板。

用于解决问题的方案

为了达成上述目的，本发明的一方式提供[1]～[7]的β-Ga₂O₃系单晶的培养方法。