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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]β－Ga2-CN201280050469.5有效
发明人： 增井建和;山冈优 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供在还原气氛、惰性气氛中的施主浓度变化得到抑制的β－Ga2O3系基板的制造方法，以及能在还原气氛、惰性气氛下使品质偏差小的高品质结晶膜外延生长的结晶层叠结构体的制造方法。本发明提供的β－Ga2O3系基板的制造方法包括从含有IV族元素的β－Ga2O3系结晶中切出β－Ga2O3系基板的工序，其中，在包含还原气氛和惰性气氛中的至少一方的气氛下对切出上述β－Ga2O3系基板之前的β－Ga2O3系结晶或切出的上述β－Ga2O3系基板实施退火处理。
ga base sub

[发明专利]β-Ga₂O₃系单晶的培养方法、以及β-Ga₂O₃系单晶基板及其制造方法-CN201480025539.0有效
发明人：舆公祥;增井建和;泷泽胜 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：在一实施方式中提供β‑Ga₂O₃系单晶的培养方法，其使用了EFG法，并且包括：使坩埚(13)内的Ga₂O₃系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga₂O₃系熔体(12)接触；以及提拉与Ga₂O₃系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β‑Ga₂O₃系单晶(25)生长。
ga sub 系单晶培养方法以及系单晶基板及其制造

[发明专利]β－Ｇａ2Ｏ3系单晶衬底-CN201580032689.9在审
发明人：渡边信也;舆公祥;山冈优;饭塚和幸;泷泽胜;增井建和 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。
ga2o3 系单晶衬底

[发明专利]β-Ga₂O₃系单晶的生长方法-CN201480020148.X在审
发明人：渡边信也;饭塚和幸;土井冈庆;松原春香;增井建和 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga₂O₃系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中，提供一种β-Ga₂O₃系单晶的生长方法，其包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β-Ga₂O₃系单晶朝b轴方向生长的步骤。
ga sub 系单晶生长方法

[发明专利]β－Ga2O3系单晶的培养方法-CN201380054859.4在审
发明人：渡边信也;胁本大树;饭冢和幸;舆公祥;增井建和 -专利权人：株式会社田村制作所;株式会社光波
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：提供一种β－Ga2O3系单晶的培养方法，能得到晶体品质高的板状的β－Ga2O3系单晶。在一实施方式中，提供β－Ga2O3系单晶的培养方法，其使用导模法，所述β－Ga2O3系单晶的培养方法包含：使板状的晶种(20)与Ga2O3系熔体(12)接触的工序和提拉晶种(20)使β－Ga2O3系单晶(25)生长的工序，所述板状的晶种(20)由全部区域的缺陷密度为5×105/cm2以下的β－Ga2O3系单晶构成。
ga2o3 系单晶培养方法

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