[发明专利]电路内置光电转换装置及其制造方法在审
申请号: | 201480023309.0 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN105144384A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 内田雅代;夏秋和弘;泷本贵博;粟屋信义;石原数也;中野贵司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B5/20;H01L31/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷,能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33),该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。 | ||
搜索关键词: | 电路 内置 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种电路内置光电转换装置,其在基板(100)上形成有至少1个第一光电转换元件(101)和电路部(202),在所述基板(100)上隔着绝缘层(1、2、3)形成有配线层(11、12、13),该电路内置光电转换装置的特征在于:在比所述配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置有同一金属层(31),该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和屏蔽金属部(33),该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向所述第一光电转换元件(101)引导的周期性或非周期性地配置的开口(32a、32a、32a……),该屏蔽金属部(33)遮蔽规定的波长的光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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