[发明专利]电路内置光电转换装置及其制造方法在审
申请号: | 201480023309.0 | 申请日: | 2014-02-27 |
公开(公告)号: | CN105144384A | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | 内田雅代;夏秋和弘;泷本贵博;粟屋信义;石原数也;中野贵司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;G02B5/20;H01L31/10 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;池兵 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 内置 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及颜色传感器等电路内置光电转换装置及其制造方法。
背景技术
即使房间的照明的色温不同,人的眼睛也不太感觉到颜色的变化,通常该特性被称为颜色适应。例如,当从发蓝(色温高)的荧光灯照明的房间进入发黄(色温低)的白炽灯照明的房间时,房间的白色墙壁最初看起来发黄。但是,稍过一会,刚才看起来发黄的墙壁会变得看起来发白。
这样人的视觉具有颜色适应的特性,因此,当房间的照明的颜色不同时,即使电视机的图像的颜色相同,该图像看起来也会是不同的颜色。近年来,伴随着液晶电视机的高画质化,对以下功能的期望高涨起来:根据房间的照明的种类来改变图像的色感,使得即使房间的照明的色温变化,看起来也是自然的图像。因此,对房间的色温进行检测的颜色传感器在液晶电视上的搭载逐步发展,使得能够对房间的色温进行检测,以与眼睛的颜色适应对应的方式自动地控制图像的色感。此外,在如智能手机和平板PC(计算机)等那样可移动的设备上装载的液晶屏幕的情况下,周围的照明随着观看场所的不同而时刻变化,因此,像颜色传感器那样自动地检测色温的传感器变得更加重要。
该颜色传感器构成为从环境光分别感测(传感检测)可见光区域中的R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的光谱(以下,将颜色传感器称为RGB传感器)。
在该RGB传感器中,为了感测环境光,使用多个光电转换元件,作为该光电转换元件的器件一般由光电二极管(photodiode)构成。该光电二极管本身不能识别颜色,仅能够检测光的强度(光量)。因此,在将图像转换为电信号的情况下,为了识别颜色,在各光电二极管上覆盖彩色滤光片(colorfilter),利用各光电二极管检测作为光的3原色的R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的光的光量,由此,从光电二极管取得颜色信号。
以往,在RGB传感器中,为了将环境光分成R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)的三原色的光,使用通过由材料的吸收产生的遮光或光的干涉来仅使特定的波长透射或反射的彩色滤光片。图6所示的RGB传感器的结构是通常的结构。
在图6中,100例如是由硅形成的半导体基板,101是与RGB各自对应地设置,对RGB的三原色的光量进行检测的第一光电二极管,102是电路部,1、2、3、40例如是由SiO2形成的绝缘层,11、12、13例如是由金属等形成的配线层,43是与配线层13设置在同一层的屏蔽金属(shieldmetal)部,51、52是由丙烯酸树脂形成的有机平坦化层,53是作为将环境光分成R、G、B的三原色的光的彩色滤光片的有机彩色抗蚀剂,20是通孔(viahole)。
但是,在上述以往的RGB传感器中,为了形成将RGB的三原色的光分开的由有机彩色抗蚀剂形成的彩色滤光片53,需要3种光掩模,这样需要3种光掩模成为在制造工序中使时间和成本增加的主要原因。
为了减少上述的时间和成本,作为代替上述彩色滤光片53的光波长选择性滤光片,有对金属薄膜实施纳米级的微细加工而得到的结构。该结构的光波长选择性滤光片,利用由入射的光激发的表面等离子体共振(surfaceplasmonresonance)引起的光的异常透射现象。
关于该利用表面等离子体共振的光波长选择性滤光片,在专利文献1(日本特开平11-72607号公报)中有详细说明。作为使该异常透射现象产生的手段,有各种方法,例如,有如图7所示,形成50~200nm左右的薄的金属膜501,在该金属膜501图案化形成比透射波长微细的孔阵列502、502、502、……而形成滤光片层500的方法。在光入射该滤光片层500时透射的光谱波形在图8中示出。但是,表面等离子体效应由在某金属膜与绝缘膜或空气的界面产生的表面等离子体、与由入射光产生的消逝光(evanescentlight)的共振产生,因此,为了高效率地产生表面等离子体效应,优选金属膜和绝缘膜为单一结构(材料、折射率等物性的均匀性、孔间距和形状的均匀性)。例如,作为金属材料,使用Au、Ag、Al等。
特别地,Al具有
(i)因为等离子体频率高,所以直到短波长都产生共振现象
(ii)因为是通常的半导体工艺中使用的材料,所以即使在工艺整合时也不需要特殊的装置和材料。
(iii)材料廉价
(iv)制作工艺简单,能够一并形成与各个波长对应的滤光片等优点,被采用的情况较多。
但是,在形成使表面等离子体效应产生的金属膜时,在设计规则中需要进行65nm~0.13um水平的开口的微细加工。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的