[发明专利]光电子半导体芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201480020969.3 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105122473B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·莱夫勒;托比亚斯·迈耶;亚当·鲍尔;克里斯蒂安·莱雷尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法包括下述步骤：提供衬底；生长第一层；执行刻蚀过程以便铺设V形缺陷；生长第二层和生长量子膜结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造光电子半导体芯片(20)的方法(10)，所述方法具有下述步骤：‑提供衬底(210)；‑生长第一层(230)，包括生长至少一个第一子层(240)和至少一个第二子层(250)；‑执行刻蚀过程以便铺设V形缺陷(290)；‑生长第二层(260)；‑生长具有第三铟份额的量子膜结构(270)，其中，‑生长具有第一铟份额的所述第一子层(24)，并且生长具有第二铟份额的所述第二子层，‑所述第一子层(240)具有与所述第二子层(250)不同的铝份额和/或不同的铟份额(121)；‑所述第三铟份额大于所述第一铟份额；以及‑在所述刻蚀过程期间在所述第一子层(240)的至少一个中产生开口(292)，其中所述开口(292)完全地穿过至少一个所述第一子层(240)。
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